主题：关于产业升级 -- btest

首先，为什么要用IGBT?

与Power MOSFET不同的是IGBT在芯片背面多了一个PN结。这样从MOSFET那里通过来的多子电流成了双极型三极管(由MOSFET的源-衬底结和芯片背面多加的结，二个背靠背的PN结)的基极电流。这个电流触发了从MOSFET的源到芯片背面的集-射的少子导通，形成普通三极管的正向放大导通。由这个导通的过程可见，是MOSFET控制了双极型三极管的导通。所以IGBT兼有大跨导和低正向压降的特点。IGBT用于开关导通时比MOSFET的损失几乎少一半，是电动车的必需。

现在国内代工厂流1微米工艺都是4-5寸的线，对于4-5层掩模版的工艺，4寸大约每片160元人民币，硅片另外算。当然最低量要求50片，不到50片也按50片收费。