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主题:【原创】从能源说起 (1) -- puma2011

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家园 GaAs的集成度赶不上silicon

Si上用SiO2做insulator,GaAs上没那么方便。

GaAs是合金,晶格要做的好比单晶的Si 难多了。掺杂也难做。不管MBE还是MOCVD,都很慢,成本比Si高的多。

从70年代GaAs就是“未来的半导体”。到现在仍然如此。IBM,TI都曾经有GaAs部门,都卖掉了。日本当年野心勃勃赶超美国的时候,也对GaAs寄予厚望。GaAs 的境况,有技术和经济的多方面原因,不能算是黑幕。

产业化方面,GaAs也不是没机会。90年代末泡沫的时候,通讯IC是大热门。因为速度要极快,TQNT主推GaAs IC,IBM推SiGe。下面?结果silicon BiCMOS够快了。下面没有了。

就算silicon本身,早期大家都用BJT,后来除了特种应用,全是MOS了。为什么不保护BJT上的投资了?主要还是考虑功耗和集成度。

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