主题：【整理】芯片败局 -- 拿不准

1959年，在林兰英的带领下，我国冲破西方禁运，仅比美国晚一年拉出了硅单晶。同年，李志坚在清华拉出高纯度多晶硅。1960年，中科院半导体所和河北半导体研究所（现中电13所）正式成立。我国的半导体工业体系初步建成。同年，黄昆、王守武、王守觉、林兰英开始研究平面光刻技术，并在1963年研发出5种硅平面器件，应用在了109丙型计算机上。1965年，王守觉在一块约1平方厘米大小的硅片内，刻蚀了7个晶体管、1个二极管、7个电阻和6个电容的电路，我国第一块集成电路由此诞生。

60年代初，日本在美国的扶植下，通过官产学联合的形式，引进美国技术，建立了初步的半导体工业体系。而此时的韩国、台湾，仍然没有像样的半导体工业。

1966年，十年风波开始，但我国的半导体工业建设并未止步。1968年，北京组建国营东光电工厂（878厂），上海组建无线电十九厂，至1970年建成投产。其中北京878厂主要生产TTU电路、CMOS钟表电路及A/D转换电路；上海无线电19厂，主要生产TTL、HTL数字集成电路。他们是当时中国集成电路产业中的南北两强。1968年，国防科委在四川永川县，成立固体电路研究所（即永川半导体研究所，现中电24所），是中国唯一的模拟集成电路研究所。同年，上海无线电十四厂首次制成PMOS电路。1970年代永川半导体研究所、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路，之后又研制成CMOS电路。

1972年，美国总统尼克松访华后，中国从欧美大量引进技术，全国有四十多家集成电路厂建成投产。包括四机部下属的749厂（甘肃天水永红器材厂）、871厂（甘肃天水天光集成电路厂）、878厂（北京东光电工厂）、4433厂（贵州都匀风光电工厂）、4435厂（湖南长沙韶光电工厂）和航天691厂（侯为贵创立中兴前的工作单位，现并入航天771所）等。

也是在1972年，我国自主研制的PMOS大规模集成电路在永川半导体研究所诞生，实现了从中小集成电路发展到大规模集成电路的跨越。实现这一过程，中国人比美国人晚了4年。1975年，王阳元在北京大学设计出第一批1K DRAM，比英特尔生产的C1103晚5年。

1978年，王守武带领徐秋霞等人在中科院半导体所成功研制4K DRAM，次年在109厂量产成功。这时，比美国人晚了6年。1979年，中国成功反向英特尔的8080八位微处理器，比德国和日本早一年。1980年，王守武兼任109厂厂长，将老厂房升级改造为1000到10000级的高标准洁净室，并在这里组装了我国第一条中、大规模集成电路生产线。

此时，日本在美国的技术支持下，半导体研发官产学模式大获成功。1971年，研制成功1K DRAM，仅比美国晚1年，并全面超越中国。而韩国、台湾省这一时期凭借代工美国落后的半导体器件，并通过颁布产业发展计划、引进技术、派遣留学人员学习培训等方式，投入大量资金，积累半导体产业基础，但整体技术仍未超越我国。