主题：ASML工程师"俗不可耐"谈长春光机所——为了发论文而发论文 -- 思想的行者

这个技术的优点是容易实现，缺点是发光功率很难提升上去，因为作为靶材气体的密度还是太小，不足以提供足够的等离子体。此外目前作为靶材的金属锡在等离子体状态下可以产生三个（或者四个？）能够产生13.5nm的阳离子。而dpp技术路线中用的惰性气体（氙？）只能产生一个这样的阳离子。也就是说，理论上讲在同样重量的靶材下，lpp技术的能量转换效率是dpp技术的三到四倍。如果再考虑到密度上的差一，锡金属vs气体，这个转换效率还会更低！

其实这条技术路线早在20年前左右就被商业界给否定淘汰了。其实业界并不想淘汰它，因为lpp技术太难实现，一堆乱七八糟的破事儿。比如锡金属的污染，等离子体化反应稍有偏差，锡金属就会糊到反射镜上，有的直接把反射镜面给毁掉。成本，控制难度因此都增加了不知多少倍。还有液态锡的控制，涉及流体力学，很多东西要重新建模。但是如我前文所说，dpp技术的硬伤太大！

lpp技术出来的时候，第一台超过10w之后两三年就能把功率提高到100w。没过几年就最先达到商用标准（200w）。一般来说euv光源超过200w就可以商用来造芯片了。从功率达到100w之后，dpp技术就退出了商业备选方案。

长春光机所的dpp不是这几年才开始，我记得是0809年就开始搞了（可能记错）。当时euv什么的还只是一个传说。没有任何证据表明euv光刻机能造出来，而dpp我记得也还是一个商业备选方案。

不过今天这条技术路线其实已经被抛弃了。当然，我没有读长春光机所最近的论文，我只读过他们2018年的论文。是否最近有什么特别的奇思妙想能够解决能量转换效率低的瓶颈，这个我不清楚。

就我目前的感觉，这条路恐怕走不通。（还未细致调查，慎重参考，）这里再提一句啊，判断一个技术路线是否走得通是极度复杂的事。

如果瓶颈突破不了，那么100w之后将会寸步难行。不过17w到100w之间可能还有个十年二十年。估计很多博士都毕业了，很多教授都退休了，很多讲师都当教授了……

科研最难的，最重要的部分就是论证可行性。今天的euv光刻机，仅仅只是选定用未来光源用13.5nm的euv这个今天出租车司机师傅侃大山都知道的结论用了整整15年，淘汰dpp，选取lpp用了恨不得10年。

对了，知道中国学界最尴尬的是啥吗？不管是谁立项研究lpp技术路线，都不可能发表任何高档次的论文！因为这东西都已经商业化了，所有能发表的高档次文章早都发尽了！反倒是dpp，因为被不能商业化被抛弃反而能出不少“外国没发表”的成果。

如果没有好论文，怎么博士毕业，怎么评杰青，院士，长江学者呢？又难又没好成果，明白为啥这么多年中国都没有哪个科研机构搞lpp技术路线了吧。

论文论论英雄有很多漏洞，跟唯资本论英雄一样，一旦僵化就会滋生神奇的效果。

第一，EUV光刻机的光源IF功率多少瓦。少于10瓦的请不要相信什么“打破封锁”，“美国怕了”，连输出功率都不提的也请忽略！

第二，稳定输出EUV功率多长时间，少于1小时没太大意义，不提这个指标也可以忽略。

靠谱儿的光刻机造出来一定会把重要的性能参数说清楚以提高自豪感。不提重要指标的，就是八字没一撇。

连朝鲜都能搞火箭核弹，但是EUV光刻机离开了德国，日本，荷兰，美国任何一个都玩不转！没有一个西方国家具备独自造出能赚钱的光刻机的能力。它是整个西方高科技产业链的集合。

我说这些什么意思，不是说中国搞不定，而是请不要指望少于10年能搞定。除非在政治外交上有突破，能够跟德国日本建立友好关系，快速补上短板，靠中国自己，这个工程是20年级别的。当然，按照中国自己的规划，我们本来也没打算在2030年前就攻破EUV光刻机的难关，我们现在的目标是2025能够把DUV光刻机造好。

我呢再说一句，如果大家不能沉下心来，承认差距，那么相信我，肯定会有骗子趁虚而入。到时候圈钱的叫好一片，正经的工程没人沉下心做，那就真完蛋了。不行就要慢慢来，慢慢补，绝不可自嗨。汉芯和武汉宏芯的闹剧还不够吗？再搞几个，就真的会把所有信心都折腾没了。