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主题:从萧条到繁荣,再到萧条 -- 西瓜子

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                                    • 家园 给你一个美国的消息吧,美国有名的LED公司啊

                                      这个可是2011年的消息

                                      美国LED芯片制造商Bridgelux公司首席执行官Bill Watkins透露,公司决定将重心从蓝宝石衬底LED制造转移至成本更低的硅衬底LED制造。

                                      就在今年3月,Bridgelux正式对外宣布其硅衬底氮化镓1.5mm直径功率LED 在4730K色温、350mA电流强度下达到135lm/W。近日,Bridgelux商业发展副总裁柴燕博士在接受高工LED专访时透露,经过第三方检测机构检测,公司的硅衬底LED光效已突破160lm/W

                                      还有就是这个江西公司最近的消息:

                                      作为目前仍是全球唯一一家实现硅基量产的企业,晶能光电此次共推出包括28*28、35*35、45*45和55*55在内的四款硅基大功率LED芯片,且光效已超过120lm/W,主要应用于室内、室外和便携式照明市场。据了解,目前已有瑞丰、国星、天电等20家客户使用。这是继3年前晶能光电实现硅基小功率LED芯片规模化量产以后,在硅基LED技术领域取得的又一重大突破。

                                      晶能光电目前在6寸硅基LED的研发上取得了巨大的进展。晶能光电计划在12个月内把目前2寸的生产转移到6寸,6寸硅基LED计划在2013年可实现量产。根据著名的海兹定律,预计LED亮度成倍增加,而成本将成倍减少,这将更加凸显硅基LED技术的大规模制造优势和成本优势。

                                        • 家园 看来东芝公司也参与造假,并且成本不低

                                          LED照明技术与解决方案的研发与制造领导厂商Bridgelux 公司,以及全球领导半导体制造商Toshiba公司,昨日共同宣布成功开发出业界最高水准的 8 寸氮化镓上矽(GaN on Silicon) LED芯片。该芯片采用350mA电流,电压小于 3.1V,仅1.1mm 大小的LED芯片,亮度可达 614mW。Bridgelux 与 Toshiba在今年数月前才刚签署一项共同合作协议,接下来双方将进一步加快开发 LED 芯片的脚步,以因应全球对 LCD 面板和照明系统日渐增加的需求。

                                          还有台湾台积电、联胜和晶电也正式参与造假

                                          台湾晶电正式从蓝宝石基板跨入矽基板LED磊晶,除了转投资美商普瑞(Bridgelux)之外,晶电已俏俏展开自有技术开发,台湾发展矽基板LED磊晶自有技术,继台积电固态照明、联胜之後,晶电的加入更确立了矽基板LED的成本竞争优势。

                                            • 家园 很好,他们没有造假,那么你就是承认硅基LED也能

                                              胜任高亮超高亮的任务了。可你前面是这么说的:

                                              硅的物理性质决定了它永远不可能胜任高亮超高亮的任务。

                                              成本的问题可以通用量产来解决,要相信技术是进步的。

                                              我前面说了,我对电池有了解,但对于LED也就是书抄公的水平。即便如此也不会被任何人忽悠,

                                              人可以骗一时不可骗一世,可以骗一些人不可以骗所有人。硅基LED的前途被越来越多的人认识,不知你为什么要认为只要有中国人参与的就是骗局。

                                                • 家园 是614mw,不是614流明

                                                  怎么这个错误都有,流明单位是lm,一般说亮度是多少流明每瓦。

                                                  我给的文章中说电流350mA电压3.1V,614mW是说用于发光的功率,也就是利用率为60%左右。当然用功率去描述亮度不合适,但基于硅吸光的特性这里强调的是利用率。

                                                • 家园 东芝要合作发展的是硅基衬底材料,你却说氮化镓材料

                                                  氮化镓材料可以用蓝宝石衬底,可以用碳化硅衬底,人家东芝强调的是要用硅基衬底。说白了你就是说那个8 寸GaN on Silicon LED芯片有问题是造假。

                                                  好吧,再给你一个欧洲公司的消息,也是2011年的

                                                  欧洲微电子研究中心(Interuniversity Microelectronics Centre,即IMEC)宣布使用Applied Materials公司的MOCVD成功地在200毫米(8英寸)硅片上生产出表面无裂纹并且弯曲度小于50微米的氮化镓硅芯片。IMEC的新技术展示了使用标准CMOS工艺生产,并验证了所有的设备仅仅只要求在软件和硬件做微小的调整即可。显然,这是硅基LED芯片实现大尺寸量产以及与传统半导体制程相兼容的一个重要里程碑。

                                                  这回彻底没有中国人了,应该不会有假。

                                                  我就奇怪了,如果bridgelus造假,这时间也不短了,为什么还要那么多大公司还要往这坑里跳,死乞白赖的要和它合作。

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