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主题:【原创】 真正光伏业内人说光伏 (1) -- phjhuan

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家园 Ge的gap是0.7eV,放到最下面可以吸收红外光

常见的三个PN结的就用Ge。

硅的gap是1.12eV,不大不小,晶格还失配。

substrate吸收的光不多,吸光的是上面的3-5.

这个硅的合金,应该不叫硅了吧。SiGe做合金容易,顺便调。碳硅就不行了,有碳在,硅晶体就好不了。除非就干脆碳多些,就是碳化硅。但SiC的gap上了2,太高了些。

应该说硅合金可以分谱。不过实际不大可行。

“从而突破纯硅的理论极限”这个要做到,还得看所谓第三代电池:量子井电池,理论能到80%。

非硅的电池没怎么注意。我上的上千是说经济上合适的倍数。几百倍,硅聚光电池也能做。3-5族的聚光电池,上千后真正成本上有竞争力。

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