主题：【文摘】光刻技术最新进展 谁介绍一下为什么我们不能发展出光刻机出来 -- dafemren

更改光刻重大专项方向 尽快开展极紫外光刻技术研究

极紫外光刻技术(EＵVL)是以波长为11—14nm的软X射线为曝光光源96微电子光刻技术。根据目前的光刻技术发展形势看，EUVL将是大批量生产特征尺寸为70nm及更细线宽集成电路的主流技术。2001年国际半导体工业协、会发布的半导体技术发展蓝图指出，特征线宽为70nm的半导体器件将于 2006年开始进入批量生产，而且根据以往的发展经验看，这个技术节点的实现会比预计的要提前。

国外EUVL方面的研究进展很快。在美国有一个以Sandia国家实验室为主、由国际上多家光刻设备制造商和半导体器件生产商共同参加的国际性的EUV LLC计划，2002年3月Sandia国家实验室宣布，它们研制的EUVL工程测试样机己完成性能测试。欧洲有一个EU Medea+计划，将于2003年末或2004年初研制成功EUVL原型样机(α样机)，2005—2006年研制出β样机。2002年4月22日， Intel公司宣布它己订购了荷兰ASML公司的第一声EUVL β样机，计划于2005年下半年交货。此举表明，目前Intel公司把下一代光刻技术选定为EUVL。

光刻设备的更新换代非常快，一种新型光刻设备的市场寿命约为5年，而其研发周期却很长，因为光刻设备是一个多种复杂技术的集成，其中有许多技术难点需要经过较长时间的研究才能解决。为了能够在未来的光刻设备市场上具有一定的竞争力，我国应该尽快开展EUVL的研究。根据我们目前的财力和技术条件，可以选择其中的几个关键技术进行攻关，通过5年左右时间的努力，在EUVL成为半导体光刻技术的主流时，使我国在EUVL方面有某几种单元技术具备相当的国际竞争力。

我国曾经组织过多种光刻机机型的攻关研究，但在产业化方面几乎无一成功。除了投资力度小、国内光学精密机械制造业的整体水平相对落后外，最重要的原因是研究目标缺乏超前性和预见性。过去我们确定的光刻机攻关目标几乎都与当时国外已经商品化的机型相同。国外已经可以批量生产的光刻机，我们要经过约5年时间的努力才能研究成功，而由于光刻机升级换代的速度相当快，这常常会使我们处于极为不利的境地：刚刚研制成功的光刻机己在淘汰产品之列，或至少己错过了需求高峰期，不再是主流产品；而且此时国外同类光刻机的售价大幅度下降，我们的光刻机就更无市场竞争力可言。所以通过这些攻关目标的实现，除了培养了一批相关的技术人员外，就是对国家财力和物力的浪费。目前刚启动的193nm ArF准分子激光光刻机项目，就是重蹈以前不成功的老路。国外三大著名光刻机制造商——荷兰的ASML公司、日本的Nikon公司和Canon公司很早就开始研发分辨率为100nm的193nm ArF准分子激光分步扫描投影光刻机，目前已可上市销售。我们很难想象，到2005年我国自己研制成功的193nm ArF准分子激光分步扫描投影光刻机还具有国际竞争力。

在此建议：我国应尽快开展EUVL技术研究。根据目前国内己具备的相关技术基础，至少选择如下几个关键技术进行攻关：1)EUVL光源研究。我国在激光等离子物理研究方面具有坚实的基础，通过进一步的工程化研究可以获得EUVL所需要的光源。2)全反射式离轴非球面缩倍投影光刻物镜研究。与目前的光学光刻不同，对极紫外光已无透射材料，因为在该波段所有材料的折射率都接近于1，必须采用反射式光学系统。3)高精度离轴非球面反射镜加工、检测技术研究。 EUVL光学系统中的反射面要求具有接近理想的面形和亚纳米量级的表面粗糙度。4)极紫外多层高反射率光学薄膜制备技术研究。EUVL的反射式光学系统的反射面必须在镀制了高反射率光学薄膜后才能正常工作，反射率越高，则生产效率越高。 ( 2002-12-19 ) （ 王之江中国科学院上海光学精密机械研究所，上海201800）