主题：【文摘】光刻技术最新进展 谁介绍一下为什么我们不能发展出光刻机出来 -- dafemren

UV光刻技术并不经济合算

作者:Aaron Hand, Semiconductor International 责任编辑

　　在去年的SPIE微电子光刻会议上，尽管洋溢着种种

　　对浸没式以及纳米印制光刻技术迫切需求的激动、兴奋之情，但是毫无疑问，EUV光刻技术将成为下一代光刻技术的最终选择。然而在今年的会议上，这一切却明显改变了，方方面面的交流更加倾向于实际的应用，例如，如何真正的让浸没式技术在生产中得到广泛的使用。而且更多的交流，至少是在更多不经意的交流中流露出EUV光刻技术将很可能不再成为下一代光刻技术的选择。

　　Intel坚决地站在反对使用EUV光刻技术的阵营中，而且看起来越来越多的人将公开持有反对意见。斯坦福大学电子工程学教授Fabian Pease谈及EUV认为已经到了光谱的终点，也同时偏离了下一代光刻技术的大趋势。

　　在Pease的一个讲座中，他认为并非抵制EUV光刻技术，其本质上是对许多年来已经被研发的或是期望的光刻技术的一次阐述，这些技术中有不少可能根本没有实现的一天。以一种不成功的光刻技术为例，Pease把它无法取代光学光刻技术的失败原因很大程度上归结为经济学上的问题。尽管与那些为得到有限的优化表现而付出高昂代价的下一代光刻技术比较，EUV光刻技术还是相对简单的。在随后个别交流中，他承认使用光学技术可以得到与 EUV技术相同的表现，这使 EUV技术失去了意义，而且它太贵了。

　　Pease认为取代一种过时的技术，一种新的理念必须10倍优于现存的技术。在这种情况下，更好的表现被定义为能够制造更小的线宽、更稳定的结构尺寸控制能力、更大的焦深、更快的产能、更好的套准精度，以及最低的成本控制等这几方面综合的表现。基于这些因素的考量，这会使新技术在与光学光刻技术对比中胜出非常的困难，尽管先进的掩膜版，以及光学系统等的制作成本居高不下，光学光刻技术仍然在极端重要的成本因素中占尽优势。 Pease认为现存的光学光刻技术是不易更改的。

　　Texas大学化学工程学教授Grant Willson在一篇论文中谈到了高分辨率成像的未来，下一代的成像技术的前途满是荆棘和挑战。Willson展示了一张EUV光刻原型机的照片，他指出这张照片并没有显示能量为5KW的激光器将是必须的，因为它并不存在。“相当的不幸，这台设备尚不能工作。” Willson宣称。他同时也参加了以探讨不同的下一代光刻技术在32纳米节点甚至更细小线宽时的可行性为主题的讨论会，他认为实现EUV技术不存在经济的解决方案。

　　Willson和Pease并不是唯一持有这种想法的人。光刻技术的专家以及IDEA的顾问Karen Brown嘲弄NGL（Next Generation Lithography，下一代光刻技术）是不好的光刻技术，并且他断言EUV光刻技术将会胎死腹中。一些关于下一代光刻技术实施的关键是研发成本的规模，获得风险量产以及市场的接受程度，乃至占领整个市场的时机。统计今年在SPIE上发表的EUV光刻胶的论文，仅仅只有7篇，她认为这离风险量产还有非常长的路要走。

　　按照来自IBM的Tim Brunner的说法，在过去的几年里，光刻专家们持有相同的意见而且紧密团结在一起不断壮大，这也造就了光刻技术今天的辉煌，但EUV技术是唯一的例外，他说“我不得不说，这是一个挑战。”

　　对于眼前的挑战，EUV的支持者们强调问题会被解决的。在下一代光刻技术的专题讨论会上，来自Intel的Michael Goldstein阐述了他对于EUV的光源的观点，尽管现在光源的能量还没有能够满足大生产的需求，但在过去的一年里，它已经提高了4倍。193纳米光刻技术将得到充分的发挥。“因为毫无疑问它是一个很好的盈利点。”他坦白的说。只要费用上可以承受，EUV技术就会被采纳。详尽的分析193纳米光刻技术过去研发的时间表，Goldstein指出EUV的研发进度还是按部就班、循序渐进的，它将在未来的12年中有巨大的飞跃。“按照计划逐步前进，尽可能少的偏移目标这是非常重要的。”他说。Goldstein以157纳米光刻技术研发的误入歧途为例，它导致这项技术一度偏离了EUV光刻的目标，而且花费了一半的研究经费。

　　与此同时，纳米印制光刻技术也竭尽所能的从对EUV技术的瞩目中吸引一些注意。尽管这项技术根本还没有被证实可行，但是它的高产能以及能够精确的制造图形确实是一个巨大的亮点。基于这点，除了纳米印制光刻技术以外，绝大多数的下一代光刻技术需要巨大的投资花费。

　　Pease把纳米印制光刻技术称为一种典型的蚕食性的技术，它为满足了特定市场的需求而出现，随之不断的发展和壮大，直到某天，它可以突然的取代光学光刻技术成为集成电路生产制造的主流。