主题：【原创】中微半导体45纳米蚀刻机 -- 可梦之

依稀记得当年上课HSPICE用的TSMC25的包含文件，那个应该是.25um时代的东东吧……

感觉像是在说原始社会的东西了。

amd已经成fabless了。这个世界变化快啊。

TSMC不去特意减少physical gate length，是因为它和intel的客户不一样。intel自己给自己做cpu。tsmc是代工厂，服务于其他fabless的。

可能有错误。不过现在sun也是在tsmc流片。ti也有那个意向吧。

对阿，tsmc要的是稳定和通用。不会为了一个客户改变参数和流程。

但是intel就是完全为自己定制，对高性能cpu来说，就显得很重要了。

同样的设计，定制出来的一般性能要好得多。更何况，电路底层的设计是离不开具体的制程的。

不是.90的设计可以直接拿到0.45上用。面向tsmc的未必能在意法半导体直接用。

.090, .045, not .90, .45

45纳米＝0.045微米。

我是最开始接触0.18 0.23说习惯了，0.045说起来别扭。

以后改正。呵呵。

市场的一半以上是ASML，剩下是尼康和佳能，ASML的背后叫zeiss。看看这三个名字，就知道中国离高端光刻机有多远了，等国产相机满街跑的时候才有可能突破的。

靠山寨是没前途的，可以山寨一时不能山寨一世的。

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蚀刻，应该是用光刻后的过程了，实际上，整个流程里面，每一步都是很关键的技术。

光刻胶的材质和涂刷，很关键。

光刻musk的制作，很关键

光刻工艺，很关键

光刻好的蚀刻，很关键

能把这些全都搞定，那就是整个一个体系的提高了。

现在在蚀刻机上有了突破，那是很好的事情。

千里之行算是始于足下了。

我觉得

但是目前状况下，要突破这些个技术壁垒，就是要耍耍流氓，最起码可以锻炼一下队伍。

Why?

也就是说，如果光学镜头赶不上人家，就别想光刻机的事儿了。

现在好像很多都快到光学极限了，如果要继续往小了做，用光刻的方法就不太行了。

其他的呢，就有E-beam（电子束蚀刻）好像还听到过X-Ray，Ion-Beam之类的。不过这个也有自己的问题，别的不是很清楚，E-Beam就是速度慢，虽然线宽可以很小，但是就是不能量产，不能适应工业生产。

如果真的要搞这个，作为国家策略可以做两手准备，一方面研究传统的光刻，另外也开发一下新的技术。新技术大家都在研究，说不定苹果就砸在哪个山寨上了呢？:-)

应该是Mask不是Musk吧？

记得当时听Intel的一个带功报告会的时候，那人说现在搞最高级的Fab投资越来越大了，估计以后世界上就只有4条最小线宽的生产线了：Intel代表美利坚有一台，日本一台，中国一台，欧洲一台……

不过说其他的线宽的，好像国内已经有好多了吧？不知道具体都是什么档次的呢？其他的都分布在什么地方呢？