主题：【原创】中微半导体45纳米蚀刻机 -- 可梦之
- 复 这是老黄历了
家园 zeiss SMT The Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technology business group is an active OEM supplier while also being represented in the end customer market for photoresist mask systems. Relationships built up with customers and suppliers over many years are a decisive element in our success.
ASML is the largest manufacturer of wafer steppers and wafer scanners for chip fabrication worldwide. The company's headquarters are in Veldhoven, Holland. Carl Zeiss, its strategic partner, supplies ASML with lithography optics and mirror blocks. The strategic alliance with ASML has developed over numerous years. The long-term collaboration with the company is considered one of the success factors contributing to the Carl Zeiss Lithography Optics division.
In 1983, Carl Zeiss delivered the first lithography optics to Philips (ASML today). The strategic alliance between the companies began in 1992. Maintaining and expanding our edge as technology providers has been the goal of both companies.
其实 Zeiss 也一直在寻求新的突破。
家园 除非不走光学路线 现在好像很多都快到光学极限了，如果要继续往小了做，用光刻的方法就不太行了。
其他的呢，就有E-beam（电子束蚀刻）好像还听到过X-Ray，Ion-Beam之类的。不过这个也有自己的问题，别的不是很清楚，E-Beam就是速度慢，虽然线宽可以很小，但是就是不能量产，不能适应工业生产。
如果真的要搞这个，作为国家策略可以做两手准备，一方面研究传统的光刻，另外也开发一下新的技术。新技术大家都在研究，说不定苹果就砸在哪个山寨上了呢？:-)
家园 山寨最后还是要招安的 我觉得
但是目前状况下，要突破这些个技术壁垒，就是要耍耍流氓，最起码可以锻炼一下队伍。
家园 这个好像不是光刻机吧？ 蚀刻，应该是用光刻后的过程了，实际上，整个流程里面，每一步都是很关键的技术。
光刻胶的材质和涂刷，很关键。
光刻musk的制作，很关键
光刻工艺，很关键
光刻好的蚀刻，很关键
能把这些全都搞定，那就是整个一个体系的提高了。
现在在蚀刻机上有了突破，那是很好的事情。
千里之行算是始于足下了。
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家园 也说说Fab吧 没有那么多工业方面的背景，也就我所了解到的东西，随便扯两句。
看了这个介绍，总体感觉是这个技术不是“核心技术”，只是硅工艺中的一个降低成本的技术。这里用的应该是干法的蚀刻，就是用高频电场产生等离子体，离子在电场中加速撞击硅表面，从而完成蚀刻。至于多少纳米的蚀刻，觉得有些奇怪，望达人解惑。我的理解是，因为蚀刻时候离子不是100％垂直于硅片的表面，所以会有一个横向的侵蚀，这样，如果线宽太小，就会给全部蚀刻掉了。这才有一个多少纳米之说。从技术上，保证电场均匀比较困难，如果并行多个反应腔可以降低成本，但是获得均匀电场的难度就更加高了。
硅工艺的核心技术其实应该还是和光刻相关的，比如光刻机，比如光刻胶。先要做出蚀刻的模子再来刻不是么？而这个才是最核心的东西。一个涉及到精密仪器，一个涉及到化工。据说，光刻胶的生产，全世界也就是只有几家公司有能力做。希望早日见到中国山寨的光刻胶和光刻机吧。
- 复 也说说Fab吧
家园 对了，就是plasma etcher plasma的刻蚀精度要看Aspect ratio,还有离子密度。
- 复 也说说Fab吧
家园 45nm 是指45nm这个"technology node"。下一个node是32nm。再往下是22nm。
- 复 也说说Fab吧
家园 理论上蚀刻和纳米没有关系 因为蚀刻的时候其实是对整个chip进行处理，只是有些地方有保护，有些没有保护。
但是随着特征尺寸的提高，原来的蚀刻机肯定不符合新流程的要求。这里中微可能是想说他们的可以用在45纳米的制程上。
不是绝对垂直是一个原因，另外一个原因是高速粒子撞击之后难免会侵蚀周围区域。就好像嫦娥什么角度撞机月球，都不太可能撞出一个整齐的深洞出来。现在特征尺寸这么小，很容易蚀刻控制不好被击穿。但是这也不完全是坏处，intel曾经通过控制蚀刻的横向侵蚀，将transister的实际宽度降到特征尺寸的一般左右，从而提高性能。这也体现了制造厂的重要性。AMD和TSMC不太可能这么搞的。
家园 转眼间 amd已经成fabless了。这个世界变化快啊。
TSMC不去特意减少physical gate length，是因为它和intel的客户不一样。intel自己给自己做cpu。tsmc是代工厂，服务于其他fabless的。